Optimisation de l'efficacité énergétique des applications numériques en technologie FD-SOI 28-14nm
Ces dix dernières années, la miniaturisation des transistors MOS en technologie planaire sur silicium massif connait une augmentation considérable des effets parasites liés à la réduction de la longueur du canal. Ces effets canaux courts ont pour conséquence de dégrader les performances des transist...
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| Language: | fr |
| Published: |
2014
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2014GRENT082/document |