Bascules à impulsion robustes en technologie 28nm FDSOI pour circuits numériques basse consommation à très large gamme de tension d'alimentation
Avec l'explosion du marché des applications portables et le paradigme de l'Internet des objets, la demande pour les circuits à très haute efficacité énergétique ne cesse de croître. Afin de repousser les limites de la loi de Moore, une nouvelle technologie est apparue très récemment dans l...
Main Author: | Bernard, Sébastien |
---|---|
Other Authors: | Grenoble |
Language: | en |
Published: |
2014
|
Subjects: | |
Online Access: | http://www.theses.fr/2014GRENT071/document |
Similar Items
-
Process Dependence of Soft Errors Induced by Alpha Particles, Heavy Ions, and High Energy Neutrons on Flip Flops in FDSOI
by: Mitsunori Ebara, et al.
Published: (2019-01-01) -
Conception d'un circuit electonique pour la récupération d'énergie électromagnétique en technologie FDSOI 28 nm
by: Awad, Mohamad
Published: (2018) -
Conception et réalisation de circuits de génération de fréquence en technologie FDSOI 28nm
by: Fonseca, Alexandre
Published: (2015) -
Optimisation de dispositifs FDSOI pour la gestion de la consommation et de la vitesse : application aux mémoires et fonctions logiques
by: Noël, Jean-Philippe
Published: (2011) -
Transistors MOS sur films minces de Silicium-sur-Isolant (SOI) complètement désertés pour le noeud technologique 10nm
by: Morvan, Siméon
Published: (2013)