Analyse et modélisation des phénomènes de mismatch des transistors MOSFET avancées
Afin de réaliser correctement leur fonction, certains blocs analogiques ou numériques comme les miroirs de courant ou les SRAM, nécessitent des paires de transistors MOS électriquement identiques. Cependant, les dispositifs sur silicium, même appariés, subissent des variations locales aléatoires ce...
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| Language: | en |
| Published: |
2014
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2014GRENT061/document |