Caractérisation et modélisation de la fiabilité des transistors et circuits millimétriques conçus en technologies BiCMOS et CMOS

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De nos jours, l'industrie de la microélectronique développe des nouvelles technologies qui permettent l'obtention d'applications du quotidien alliant rapidité, basse consommation et hautes performances. Pour cela, le transistor, composant actif élémentaire et indispensable de l'é...

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Bibliographic Details
Main Author: Ighilahriz, Salim
Other Authors: Grenoble
Language:fr
Published: 2014
Subjects:
Transistors bipolaires à hétérojonctions et MOS
Fiabilité
Caractérisation
Modélisation
Circuits
RF et millimétrique
Heterojunction bipolar and MOS transistors
Reliability
Characterization
Modeling
RF & mmW
620
Online Access:http://www.theses.fr/2014GRENT016/document

Internet

http://www.theses.fr/2014GRENT016/document

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