Alimentation haute fréquence à base de composants de puisance en Nitrure de Gallium

Le projet de cette thèse est de réaliser un convertisseur DC/DC isolé à haute fréquence de découpage basé sur la mise en œuvre de composants en GaN. Le but est d'augmenter très fortement les densité de puissance commutées par rapport aux solutions actuelles. Cette thèse mets en oeuvre les compo...

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Bibliographic Details
Main Author: Delaine, Johan
Other Authors: Grenoble
Language:fr
Published: 2014
Subjects:
GaN
620
Online Access:http://www.theses.fr/2014GRENT012/document
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spelling ndltd-theses.fr-2014GRENT0122018-06-22T04:56:54Z Alimentation haute fréquence à base de composants de puisance en Nitrure de Gallium High frequency power supply based on GaN power devices Nitrure de Gallium (GaN) Haute fréquence Intégration Alimentation isolée Convertisseur DC/DC Circuit de commande GaN High switching frequency Integration Insulated power supply DC/DC converter Gate driver 620 Le projet de cette thèse est de réaliser un convertisseur DC/DC isolé à haute fréquence de découpage basé sur la mise en œuvre de composants en GaN. Le but est d'augmenter très fortement les densité de puissance commutées par rapport aux solutions actuelles. Cette thèse mets en oeuvre les composants GaN afin de déterminer les meilleurs conditions de fonctionnement possible. Une fois les points critiques mis en avant, on étudie les structures de circuit de commande adapté pour les HEMT GaN d'EPC et un circuit intégré pour la commande est étudié et mis en oeuvre. Le layout global de la carte a un rôle important en termes d'intégration et d'optimisation CEM, il est donc discuté et des règles de routage sont proposées. Enfin, on étudie plusieurs structures de puissance et on les met en oeuvre pour vérifier le bon fonctionnement et le respect du cahier des charges. This study consist in the development of a high frequency insulated DC/DC converter based on GaN power devices. The goal is to increase significantly the power density in comparison with actual converter solutions. This thesis evaluate the GaN components performances to determine the best working conditions. Once the critical points highlighted, gate circuit topologies suitable for EPC GaN HEMT are studied and an integrated IC is designed and implemented. The overall layout of the card has an important role in terms of integration and EMC optimization, so it is discussed and routing rules are proposed. Finally, we study several power structures and implement them to verify proper operation and their compliance with specifications. Electronic Thesis or Dissertation Text fr http://www.theses.fr/2014GRENT012/document Delaine, Johan 2014-04-14 Grenoble Ferrieux, Jean-Paul Jeannin, Pierre-Olivier Frey, David
collection NDLTD
language fr
sources NDLTD
topic Nitrure de Gallium (GaN)
Haute fréquence
Intégration
Alimentation isolée
Convertisseur DC/DC
Circuit de commande
GaN
High switching frequency
Integration
Insulated power supply
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Haute fréquence
Intégration
Alimentation isolée
Convertisseur DC/DC
Circuit de commande
GaN
High switching frequency
Integration
Insulated power supply
DC/DC converter
Gate driver
620
Delaine, Johan
Alimentation haute fréquence à base de composants de puisance en Nitrure de Gallium
description Le projet de cette thèse est de réaliser un convertisseur DC/DC isolé à haute fréquence de découpage basé sur la mise en œuvre de composants en GaN. Le but est d'augmenter très fortement les densité de puissance commutées par rapport aux solutions actuelles. Cette thèse mets en oeuvre les composants GaN afin de déterminer les meilleurs conditions de fonctionnement possible. Une fois les points critiques mis en avant, on étudie les structures de circuit de commande adapté pour les HEMT GaN d'EPC et un circuit intégré pour la commande est étudié et mis en oeuvre. Le layout global de la carte a un rôle important en termes d'intégration et d'optimisation CEM, il est donc discuté et des règles de routage sont proposées. Enfin, on étudie plusieurs structures de puissance et on les met en oeuvre pour vérifier le bon fonctionnement et le respect du cahier des charges. === This study consist in the development of a high frequency insulated DC/DC converter based on GaN power devices. The goal is to increase significantly the power density in comparison with actual converter solutions. This thesis evaluate the GaN components performances to determine the best working conditions. Once the critical points highlighted, gate circuit topologies suitable for EPC GaN HEMT are studied and an integrated IC is designed and implemented. The overall layout of the card has an important role in terms of integration and EMC optimization, so it is discussed and routing rules are proposed. Finally, we study several power structures and implement them to verify proper operation and their compliance with specifications.
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