Caractérisation électrique de transistors sans jonctions avec simulation numérique
L'invention du premier transistor à Bell lab's, dans le groupe de W. Shockley, en 1947 a été suivie d'une ère de développement des circuits intégrés (IC). Depuis plusieurs dizaines d'années, la dimension critique des transistors métal/oxyde/semi-conducteurs (les transistors MOS),...
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| Language: | fr |
| Published: |
2013
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2013GRENT080/document |