Etude de la croisssance CVD des films minces de 3C-SiC et élaboration du cantilever AFM en 3C-SiC avec pointe Si intégrée

Etude de la croisssance CVD des films minces de 3C-SiC et élaboration du cantilever AFM en 3C-SiC avec pointe Si intégrée

Parmi les polytypes les plus connus du carbure de silicium (SiC), le polytype cubique (3C-SiC), est le seul qui peut croitre sur des substrats silicium. L’hétérostructure 3C-SiC/Si est intéressante non seulement pour son faible coût de production mais aussi pour la conception de Systèmes Micro-Elect...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Jiao, Sai
Other Authors: Tours
Language:fr
Published: 2012
Subjects:
3C-SiC
APD/APB
Module d’Young
Contrainte intrinsèque
Relation d’épitaxie
Si(110)/3C-SiC(100)/Si(100)
Pointe Si
Cantilever AFM en 3C-SiC
Young’s moduli
Intrinsic strain
Epitaxial relation
Si tip
3C-SiC based AFM cantilever
Online Access:http://www.theses.fr/2012TOUR4021/document

Internet

http://www.theses.fr/2012TOUR4021/document

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