Dispositifs intersousbandes à base de nitrures d’éléments III du proche infrarouge au THz
Les dispositifs intersousbandes à base de nitrures d’éléments III ont des propriétés très intéressantes pour l’optoélectronique et la photonique dans l’infrarouge. Les hétérostructures formées par l’AlN et le GaN ont une discontinuité de potentiel en bande de conduction de 1.75 eV et permettent donc...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | fr |
| Published: |
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2012PA112207/document |