Simulation monte carlo de MOSFET à base de materiaux III-V pour une électronique haute fréquence ultra basse consommation

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Le rendement consommation/fréquence des futures générations de circuits intégrés sur silicium n’est pas satisfaisant à cause de la faible mobilité électronique de ce semi-conducteur et des relativement grandes tensions d’alimentation VDD requises. Ce travail se propose d’explorer numériquement les p...

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Bibliographic Details
Main Author: Shi, Ming
Other Authors: Paris 11
Language:fr
Published: 2012
Subjects:
Modélisation de dispositifs semi-conducteurs
Matériaux III-V
Monte Carlo
Poisson-Schrödinger
Transport balistique
Contrôle de charge
Capacité quantique
Etats de pièges à l’interface (Dit)
Performance RF
Facteur du bruit et puissance de consommation
Semiconductor Device Modelling
III-V materials
Charge control
Inversion layer capacitance
Ballistic transport
Interface trap state
RF performance
Noise figure and low consumption
Online Access:http://www.theses.fr/2012PA112009/document

Internet

http://www.theses.fr/2012PA112009/document

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