Impact des ions lourds sur la fiabilité des MOSFET de puissance embarqués en environnement spatial
L'objectif de cette thèse s'oriente principalement sur l'étude du de puisclaquage post-radiatif des MOSFET sances irradiés aux ions lourds. Nous avons pu constater, pour la première fois, une réduction des paramètres de fiabilité et de durée de vie des MOSFET de puissance irradiés aux...
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| Language: | fr |
| Published: |
2012
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2012MON20180/document |