Contribution à l’étude de techniques de siliciuration pour les technologies CMOS avancées : impact des contraintes mécaniques et la ségrégation de dopant sur la hauteur de barrière Schottky
Alors que le développement industriel des technologies CMOS-SOI aborde le cap des longueurs de grille inférieures à 30nm, l’optimisation du module source/drain est identifié comme l’un des verrous technologiques fondamentaux afin d’atteindre le niveau de performance spécifié dans la feuille de route...
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| Language: | fr |
| Published: |
2012
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2012LIL10028/document |