Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS

Cette étude porte sur l’intégration hybride de transistors à un électron (single-electron transistor, SET) dans un noeud technologique CMOS. Les SETs présentent de forts potentiels, en particulier en termes d’économies d’énergies, mais ne peuvent complètement remplacer le CMOS dans les circuits élec...

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Bibliographic Details
Main Author:	Jouvet, Nicolas
Other Authors:	Lyon, INSA
Language:	fr
Published:	2012
Subjects:	Electronique Circuit intégré Complementary Metal Oxide SemiConductor - CMOS Transistor MOSFET - Composant à effet de champ à grille isolée Composant à un électron Transistor à un électron - SET Nanotechnologie Nanodamascène Caractérisation électrique Electronics MOSFET - Metal Oxide SemiConductor Field Effect - Transistor Single Electron Device Single-electron Transistor - SET Nanotechnology Nanodamascene Electrical characterisation 621.381 520 72
Online Access:	http://www.theses.fr/2012ISAL0114/document

id	ndltd-theses.fr-2012ISAL0114
record_format	oai_dc
spelling	ndltd-theses.fr-2012ISAL01142019-09-14T03:30:39Z Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS Hybrid integration of single electron transistor on a CMOS technology node Electronique Circuit intégré Complementary Metal Oxide SemiConductor - CMOS Transistor MOSFET - Composant à effet de champ à grille isolée Composant à un électron Transistor à un électron - SET Nanotechnologie Nanodamascène Caractérisation électrique Electronics MOSFET - Metal Oxide SemiConductor Field Effect - Transistor Single Electron Device Single-electron Transistor - SET Nanotechnology Nanodamascene Electrical characterisation 621.381 520 72 Cette étude porte sur l’intégration hybride de transistors à un électron (single-electron transistor, SET) dans un noeud technologique CMOS. Les SETs présentent de forts potentiels, en particulier en termes d’économies d’énergies, mais ne peuvent complètement remplacer le CMOS dans les circuits électriques. Cependant, la combinaison des composants SETs et MOS permet de pallier à ce problème, ouvrant la voie à des circuits à très faible puissance dissipée, et à haute densité d’intégration. Cette thèse se propose d’employer pour la réalisation de SETs dans le back-end-of-line (BEOL), c'est-à-dire dans l’oxyde encapsulant les CMOS, le procédé de fabrication nanodamascène, mis au point par C. Dubuc. This study deals with the hybrid integration of Single Electron Transistors (SET) on a CMOS technology node. SET devices present high potentiels, particularly in terms of energy efficiency, but can't completely replace CMOS in electrical circuits. However, SETs and CMOS devices combination can solve this issue, opening the way toward very low operating power circuits, and high integration density. This thesis proposes itself to use for Back-End-Of-Line (BEOL) SETs realization, meaning in the oxide encapsulating CMOS, the nanodamascene fabrication process devised by C. Dubuc. Electronic Thesis or Dissertation Text fr http://www.theses.fr/2012ISAL0114/document Jouvet, Nicolas 2012-11-21 Lyon, INSA Université de Sherbrooke (Québec, Canada) Drouin, Dominique Souifi, Abdelkader
collection	NDLTD
language	fr
sources	NDLTD
topic	Electronique Circuit intégré Complementary Metal Oxide SemiConductor - CMOS Transistor MOSFET - Composant à effet de champ à grille isolée Composant à un électron Transistor à un électron - SET Nanotechnologie Nanodamascène Caractérisation électrique Electronics MOSFET - Metal Oxide SemiConductor Field Effect - Transistor Single Electron Device Single-electron Transistor - SET Nanotechnology Nanodamascene Electrical characterisation 621.381 520 72
spellingShingle	Electronique Circuit intégré Complementary Metal Oxide SemiConductor - CMOS Transistor MOSFET - Composant à effet de champ à grille isolée Composant à un électron Transistor à un électron - SET Nanotechnologie Nanodamascène Caractérisation électrique Electronics MOSFET - Metal Oxide SemiConductor Field Effect - Transistor Single Electron Device Single-electron Transistor - SET Nanotechnology Nanodamascene Electrical characterisation 621.381 520 72 Jouvet, Nicolas Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS
description	Cette étude porte sur l’intégration hybride de transistors à un électron (single-electron transistor, SET) dans un noeud technologique CMOS. Les SETs présentent de forts potentiels, en particulier en termes d’économies d’énergies, mais ne peuvent complètement remplacer le CMOS dans les circuits électriques. Cependant, la combinaison des composants SETs et MOS permet de pallier à ce problème, ouvrant la voie à des circuits à très faible puissance dissipée, et à haute densité d’intégration. Cette thèse se propose d’employer pour la réalisation de SETs dans le back-end-of-line (BEOL), c'est-à-dire dans l’oxyde encapsulant les CMOS, le procédé de fabrication nanodamascène, mis au point par C. Dubuc. === This study deals with the hybrid integration of Single Electron Transistors (SET) on a CMOS technology node. SET devices present high potentiels, particularly in terms of energy efficiency, but can't completely replace CMOS in electrical circuits. However, SETs and CMOS devices combination can solve this issue, opening the way toward very low operating power circuits, and high integration density. This thesis proposes itself to use for Back-End-Of-Line (BEOL) SETs realization, meaning in the oxide encapsulating CMOS, the nanodamascene fabrication process devised by C. Dubuc.
author2	Lyon, INSA
author_facet	Lyon, INSA Jouvet, Nicolas
author	Jouvet, Nicolas
author_sort	Jouvet, Nicolas
title	Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS
title_short	Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS
title_full	Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS
title_fullStr	Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS
title_full_unstemmed	Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS
title_sort	intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique cmos
publishDate	2012
url	http://www.theses.fr/2012ISAL0114/document
work_keys_str_mv	AT jouvetnicolas integrationhybridedetransistorsaunelectronsurunnoeudtechnologiquecmos AT jouvetnicolas hybridintegrationofsingleelectrontransistoronacmostechnologynode
_version_	1719250683433058304

Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS

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