Etude à l'échelle nanométrique par sonde locale de la fiabilité de diélectriques minces pour l'intégration dans les composants microélectroniques du futur

Etude à l'échelle nanométrique par sonde locale de la fiabilité de diélectriques minces pour l'intégration dans les composants microélectroniques du futur

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Afin de pouvoir continuer la miniaturisation de la brique de base des circuits électroniques, le transistor MOS, l’introduction d’oxyde de grille à haute permittivité était inévitable. Un empilement de type high-k/grille métal en remplacement du couple SiO2 /Poly-Si est introduit afin de limiter le...

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Bibliographic Details
Main Author:	Delcroix, Pierre
Other Authors:	Grenoble
Language:	fr
Published:	2012
Subjects:	Fiabilité Microscopie à Force Atomique en mode Conduction TDDB Métal-Oxyde-Semi-conducteur, Oxyde bicouche Filament Résistance Différentielle Négative Caractérisation électrique Microélectronique Nanoélectronique Ultravide Reliability Atomic Force Microscopy Metal-Oxide-Semiconductor Bi-layer Oxide Negative differential resistance Electrical characterization Microelectronics Nanoelectronics Ultra high vacuum
Online Access:	http://www.theses.fr/2012GRENT080/document

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