Défis liés à la réduction de la rugosité des motifs de résine photosensible 193 nm
A chaque nouvelle étape franchie dans la réduction des dimensions des dispositifs en microélectronique, de nouvelles problématiques sont soulevées. Parmi elles, la fluctuation de la longueur de la grille des transistors, aussi appelée rugosité de bord de ligne (LWR, pour “Line Width Roughness”), con...
Main Author: | Azar-Nouche, Laurent |
---|---|
Other Authors: | Grenoble |
Language: | fr |
Published: |
2012
|
Subjects: | |
Online Access: | http://www.theses.fr/2012GRENT032/document |
Similar Items
-
Défis liés à la réduction de la rugosité des motifs de résine photosensible 193 nm
by: Azar-nouche, Laurent
Published: (2012) -
Synthesis of Narrow Molecular Weight Distribution Norbornene-Lactone Functionalized Polymers by Nitroxide-Mediated Polymerization: Candidates for 193-nm Photoresist Materials
by: Zi Jun Wang, et al.
Published: (2014-02-01) -
Nanostructuration par photolithographie DUV de matériaux organiques
by: Dirani, Ali
Published: (2010) -
Limites de l'intégration des masques de gravure et d'un matériau diélectrique hybride pour la fabrication des interconnexions en microélectronique
by: Ducote, Julien
Published: (2010) -
Limites de l'intégration des masques de gravure et d'un matériau diélectrique hybride pour la fabrication des interconnexions en microélectronique
by: Ducoté, Julien
Published: (2010)