Analyse des mécanismes de défaillance dans les transistors de puissance radiofréquences HEMT AlGaN/GaN
Les HEMT AlGaN/GaN sont en passe de devenir incontournables dans le monde de l'amplification de puissance radiofréquence, grâce à leurs performances exceptionnelles. Cependant,en raison de la relative jeunesse de cette technologie, des études de fiabilité dans plusieurs modes de fonctionnement...
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| Language: | fr |
| Published: |
2012
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2012CERG0576/document |