Utilisation du FIB pour la nanostructuration et l'auto-assemblage de réseaux de nano-objets pour des applications microélectroniques

• Main Author: Amiard, Guillaume
• Other Authors: Aix-Marseille
• Language: fr
• Published: 2012
• Subjects: FIB; Auto-organisation; Silicium; Germanium; SiO2; Microelectronique; Self-organisation; Silicon; Microelectronics
• Online Access: http://www.theses.fr/2012AIXM4329/document

Les travaux présentés dans ce manuscrit, sont basés sur l'étude de l'auto-organisation de la matière à l'échelle nanométrique. A cette échelle, les énergies de surfaces jouent un rôle prépondérant dans cette organisation. Pour comprendre au mieux ses mécanismes nous avons étudié plusieurs types de structures à base de Silicium et de Germanium. Nous avons expérimentalement étudié la croissance cristalline ou amorphe sur différents types de substrats (amorphe : SiO2 et cristallins Si ou SOI). Certain de ces substrats furent nano-structurés en utilisant un faisceau d'ions focalisés de type Gallium ou Or-Silicium. De plus nous avons pu utiliser des surfaces différentes telle que le TiO2 ou le Silicium poreux, afin d'étudier l'organisation de la matière sur des pores de petites tailles (inférieurs à 50nm). === The following works are base on the study of self assembly structures at the nanometric scale. At this scale the surface energy have a major impact in this organization. For a better understanding of this mechanism we studied different Silicon-Germanium base structures. We experimentally studied the crystalline or amorphous growth on different types of substrates (amorphous: SiO2, crystalline: Si or SOI). Some of these substrates were nano-structured using a focused ion beam using gallium source or gold-silicon source. In addition, we were able to use different surfaces such as TiO2 or porous silicon to study the organization of the material small size pore(less than 50nm).