Jonctions tunnel magnétiques à anisotropie perpendiculaire et écriture assistée thermiquement
Dans le cadre de l'augmentation de la densité de stockage des mémoires magnétorésistives à accès direct (MRAM), les matériaux à anisotropie magnétique perpendiculaire sont particulièrement intéressants car ils possèdent une très forte anisotropie. Cependant, cette augmentation d'anisotropi...
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| Language: | fr |
| Published: |
2011
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2011GRENY053/document |