Electronical model evaluation and development of compact model including aging for InP heterojunction bipolar transistors (HBTs)

Electronical model evaluation and development of compact model including aging for InP heterojunction bipolar transistors (HBTs)

Les technologies de transistors bipolaires à hétérojonctions (HBT) ont montré leur efficacité pour permettre aux circuits de traiter les grands signaux au delà de 100Gbit/s pour les réseaux optiques Ethernet. Pour assurer ce résultat, une bonne fiabilité doit être garantie. Des tests de vieillisseme...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Ghosh, Sudip
Other Authors: Bordeaux 1
Language:fr
Published: 2011
Subjects:
InP HBT
Modèle HICUM
Modèle Agilent HBT
Extraction de paramètres
Test de vieillissement accéléré
Stress en polarisation
Analyse des dégradations
Contraintes électrothermiques
Modèle compact de vieillissement
Implantation de lois de vieillissement
HICUM model
Agilent HBT model
Parameters extraction
Accelerated Aging test
Bias stress
Degradation analysis
Electro-thermal stress
Compact Aging Model
Implementation of Aging Laws
Online Access:http://www.theses.fr/2011BOR14451/document

Internet

http://www.theses.fr/2011BOR14451/document

Similar Items