Détection Térahertz par transistor à effet de champ à base de Silicium.
Ce travail expérimental traite de la détection de radiations Térahertz (THz) par des transistors à base de silicium. Après avoir exposé le contexte de l'étude et les bases théoriques des modèles nécessaires à la compréhension du sujet, le manuscrit débute par une comparaison des transistors de...
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| Language: | fr |
| Published: |
2010
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2010MON20241 |