Etude théorique de la diffusion de l’oxygène dans des oxydes diélectriques
La miniaturisation des composants CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) impose l’emploi de matériaux diélectriques de permittivité élevée. LaAlO3 et SrTiO3 sont aujourd’hui parmi les meilleurs candidats ; toutefois, la diffusion de l’oxygène dans ces matériaux conduit à la dégradation des p...
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Language: | fr |
Published: |
2008
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Online Access: | http://www.theses.fr/2008BOR13703/document |