Etude théorique de la diffusion de l’oxygène dans des oxydes diélectriques

La miniaturisation des composants CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) impose l’emploi de matériaux diélectriques de permittivité élevée. LaAlO3 et SrTiO3 sont aujourd’hui parmi les meilleurs candidats ; toutefois, la diffusion de l’oxygène dans ces matériaux conduit à la dégradation des p...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Lontsi Fomena, Mireille
Other Authors: Bordeaux 1
Language:fr
Published: 2008
Subjects:
Online Access:http://www.theses.fr/2008BOR13703/document