SiCの結晶欠陥がショットキー障壁ダイオード特性に及ぼす影響と特性改善に関する研究

SiCの結晶欠陥がショットキー障壁ダイオード特性に及ぼす影響と特性改善に関する研究

京都大学 === 0048 === 新制・課程博士 === 博士(工学) === 甲第20379号 === 工博第4316号 === 新制||工||1669(附属図書館) === 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 === (主査)教授 木本 恒暢, 教授 山田 啓文, 准教授 浅野 卓 === 学位規則第4条第1項該当 === Doctor of Philosophy (Engineering) === Kyoto University === DGAM...

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Bibliographic Details
Main Author: 藤原, 広和
Other Authors: 木本, 恒暢
Format: Doctoral Thesis
Language:Japanese
Published: 京都大学 (Kyoto University) 2017
Subjects:
SiC
ダイオード
エピタキシャル成長
積層欠陥
転位
表面ラフネス
500
Online Access:http://hdl.handle.net/2433/225604
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spelling ndltd-kyoto-u.ac.jp-oai-repository.kulib.kyoto-u.ac.jp-2433-2256042021-09-06T05:11:38Z SiCの結晶欠陥がショットキー障壁ダイオード特性に及ぼす影響と特性改善に関する研究 藤原, 広和 木本, 恒暢 山田, 啓文 浅野, 卓 Fujiwara, Hirokazu フジワラ, ヒロカズ SiC ダイオード エピタキシャル成長 積層欠陥 転位 表面ラフネス 500 京都大学 0048 新制・課程博士 博士(工学) 甲第20379号 工博第4316号 新制||工||1669(附属図書館) 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 (主査)教授 木本 恒暢, 教授 山田 啓文, 准教授 浅野 卓 学位規則第4条第1項該当 Doctor of Philosophy (Engineering) Kyoto University DGAM 2017-06-14T07:48:57Z 2017-06-14T07:48:57Z 2017-03-23 2017-03-23 doctoral thesis Thesis or Dissertation http://hdl.handle.net/2433/225604 14301甲第20379号 10.14989/doctor.k20379 14301 jpn 学位規則第9条第2項により要約公開 application/pdf 京都大学 (Kyoto University) 京都大学
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藤原, 広和
SiCの結晶欠陥がショットキー障壁ダイオード特性に及ぼす影響と特性改善に関する研究
description 京都大学 === 0048 === 新制・課程博士 === 博士(工学) === 甲第20379号 === 工博第4316号 === 新制||工||1669(附属図書館) === 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 === (主査)教授 木本 恒暢, 教授 山田 啓文, 准教授 浅野 卓 === 学位規則第4条第1項該当 === Doctor of Philosophy (Engineering) === Kyoto University === DGAM
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