緑色レーザのための半極性GaN系歪多層構造の設計と作製

緑色レーザのための半極性GaN系歪多層構造の設計と作製

京都大学 === 0048 === 新制・課程博士 === 博士(工学) === 甲第18287号 === 工博第3879号 === 新制||工||1595(附属図書館) === 31145 === 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 === (主査)教授 川上 養一, 教授 野田 進, 教授 藤田 静雄 === 学位規則第4条第1項該当 === Doctor of Philosophy (Engineering) === Kyoto University === DFAM...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: 西中, 淳一
Other Authors: 川上, 養一
Format: Doctoral Thesis
Language:Japanese
Published: 京都大学 (Kyoto University) 2014
Subjects:
窒化物半導体
半極性面
有機金属気相成長
臨界膜厚
緑色レーザ
500
Online Access:http://hdl.handle.net/2433/188600
Description
Summary:京都大学 === 0048 === 新制・課程博士 === 博士(工学) === 甲第18287号 === 工博第3879号 === 新制||工||1595(附属図書館) === 31145 === 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 === (主査)教授 川上 養一, 教授 野田 進, 教授 藤田 静雄 === 学位規則第4条第1項該当 === Doctor of Philosophy (Engineering) === Kyoto University === DFAM

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