InPおよびGa1-x InxAsyP1-y半導体における衝突イオン化率と光検出デバイスの低雑音化に関する研究

Kyoto University (京都大学) === 0048 === 新制・論文博士 === 工学博士 === 乙第6330号 === 論工博第2073号 === 新制||工||704(附属図書館) === UT51-62-S366 === (主査)教授佐々木昭夫, 教授川端昭, 教授藤田茂夫 === 学位規則第5条第2項該当

Bibliographic Details
Main Author:	逢坂, 福信
Other Authors:	佐々木, 昭夫
Format:	Others
Language:	Japanese
Published:	京都大学 2012
Subjects:	500
Online Access:	http://hdl.handle.net/2433/162213

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spelling	ndltd-kyoto-u.ac.jp-oai-repository.kulib.kyoto-u.ac.jp-2433-1622132017-09-09T03:48:32Z InPおよびGa1-x InxAsyP1-y半導体における衝突イオン化率と光検出デバイスの低雑音化に関する研究逢坂, 福信佐々木, 昭夫川端, 昭藤田, 茂夫 Osaka, Fukunobu オオサカ, フクノブ 500 Kyoto University (京都大学) 0048 新制・論文博士工学博士乙第6330号論工博第2073号新制\|\|工\|\|704(附属図書館) UT51-62-S366 (主査)教授佐々木昭夫, 教授川端昭, 教授藤田茂夫学位規則第5条第2項該当 2012-11-26T23:58:20Z 2012-11-26T23:58:20Z 1987-09-24 1987-09-24 DFAM Thesis or Dissertation http://hdl.handle.net/2433/162213 000000186230 10.14989/doctor.r6330 jpn application/pdf 京都大学 Kyoto University
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InPおよびGa1-x InxAsyP1-y半導体における衝突イオン化率と光検出デバイスの低雑音化に関する研究

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