InPおよびGa1-x InxAsyP1-y半導体における衝突イオン化率と光検出デバイスの低雑音化に関する研究

InPおよびGa1-x InxAsyP1-y半導体における衝突イオン化率と光検出デバイスの低雑音化に関する研究

Kyoto University (京都大学) === 0048 === 新制・論文博士 === 工学博士 === 乙第6330号 === 論工博第2073号 === 新制||工||704(附属図書館) === UT51-62-S366 === (主査)教授 佐々木 昭夫, 教授 川端 昭, 教授 藤田 茂夫 === 学位規則第5条第2項該当

Bibliographic Details
Main Author: 逢坂, 福信
Other Authors: 佐々木, 昭夫
Format: Others
Language:Japanese
Published: 京都大学 2012
Subjects:
500
Online Access:http://hdl.handle.net/2433/162213
Description
Summary:Kyoto University (京都大学) === 0048 === 新制・論文博士 === 工学博士 === 乙第6330号 === 論工博第2073号 === 新制||工||704(附属図書館) === UT51-62-S366 === (主査)教授 佐々木 昭夫, 教授 川端 昭, 教授 藤田 茂夫 === 学位規則第5条第2項該当

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