高密度MOSデバイスにおける,衝突電離に起因した特性劣化に関する研究

Kyoto University (京都大学) === 0048 === 新制・論文博士 === 工学博士 === 乙第5734号 === 論工博第1858号 === 新制||工||646(附属図書館) === UT51-60-U248 === (主査)教授川端昭, 教授松波弘之, 教授佐々木昭夫 === 学位規則第5条第2項該当

Bibliographic Details
Main Author:	松本, 平八
Other Authors:	川端, 昭
Format:	Others
Language:	Japanese
Published:	京都大学 2012
Subjects:	500
Online Access:	http://hdl.handle.net/2433/162196

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高密度MOSデバイスにおける,衝突電離に起因した特性劣化に関する研究

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