Fundamental Study on Si Nanowires for Advanced MOSFETs and Light-Emitting Devices

Kyoto University (京都大学) === 0048 === 新制・課程博士 === 博士(工学) === 甲第15612号 === 工博第3301号 === 新制||工||1498(附属図書館) === 28139 === 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 === (主査)教授 木本 恒暢, 教授 藤田 静雄, 准教授 山田 啓文 === 学位規則第4条第1項該当...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Yoshioka, Hironori
Other Authors: 木本, 恒暢
Format: Others
Language:English
Published: 京都大学 (Kyoto University) 2010
Subjects:
500
Online Access:http://hdl.handle.net/2433/123341
id ndltd-kyoto-u.ac.jp-oai-repository.kulib.kyoto-u.ac.jp-2433-123341
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spelling ndltd-kyoto-u.ac.jp-oai-repository.kulib.kyoto-u.ac.jp-2433-1233412017-10-06T03:46:49Z Fundamental Study on Si Nanowires for Advanced MOSFETs and Light-Emitting Devices 先端MOSFETおよび発光デバイスを目指したSiナノワイヤの基礎研究 Yoshioka, Hironori 木本, 恒暢 藤田, 静雄 山田, 啓文 吉岡, 裕典 ヨシオカ, ヒロノリ Silicon nanowire MOSFET light emitting diode absorption coefficient quantum confinement effect mobility density functional theory 500 Kyoto University (京都大学) 0048 新制・課程博士 博士(工学) 甲第15612号 工博第3301号 新制||工||1498(附属図書館) 28139 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 (主査)教授 木本 恒暢, 教授 藤田 静雄, 准教授 山田 啓文 学位規則第4条第1項該当 2010-08-04T07:17:32Z 2010-08-04T07:17:32Z 2010 2010-07-23 2010-07-23 DFAM Thesis or Dissertation http://hdl.handle.net/2433/123341 10.14989/doctor.k15612 eng 許諾条件により要旨・本文は2011-05-20に公開 application/pdf 京都大学 (Kyoto University) 京都大学
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Yoshioka, Hironori
Fundamental Study on Si Nanowires for Advanced MOSFETs and Light-Emitting Devices
description Kyoto University (京都大学) === 0048 === 新制・課程博士 === 博士(工学) === 甲第15612号 === 工博第3301号 === 新制||工||1498(附属図書館) === 28139 === 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 === (主査)教授 木本 恒暢, 教授 藤田 静雄, 准教授 山田 啓文 === 学位規則第4条第1項該当
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