Estudo de compósitos de tips-pentaceno para aplicações em transistores /

• Main Author: Ozório, Maíza da Silva.
• Other Authors: Universidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho" Faculdade de Ciências e Tecnologia.
• Format: Others
• Language: Portuguese; Portuguese; Texto em português; resumos em português e inglês
• Published: Presidente Prudente, 2016
• Subjects: Transistores.; Resinas compostas.; Semicondutores.; Transistors.
• Online Access: http://hdl.handle.net/11449/152818

Orientador: Neri Alves === Banca: Edson Laureto === Banca: Carlos José Leopoldo Constantino === Resumo: Um dos atuais desafios da eletrônica orgânica é a obtenção de semicondutores com alta mobilidade que forme filmes com boa morfologia quando depositado/impresso por solução, resultando em boa uniformidade e reprodutibilidade dos dispositivos. O poli(3- hexiltiofeno) (P3HT) e o 6,13-(triisopropilsililetinil)pentaceno (TP) estão entre os semicondutores orgânicos mais utilizados. O TP tem como característica a formação de estruturas cristalinas, e desse modo, apresenta mobilidade muito maior que o P3HT, no entanto é difícil de obter filmes com boa morfologia e resultados reprodutíveis. Visando um material semicondutor que apresente mobilidade significativamente melhor que a do P3HT e uma morfologia melhor que a do TP, estudou-se compósitos a partir da mistura destes materiais (P3HT:TP) para aplicação em transistores orgânicos de efeito de campo (OFETs), utilizando óxido de alumínio anodizado (Al2O3) tratado com HMDS como dielétrico de gate. Para análise da morfologia dos compósitos semicondutores de P3HT:TP usou-se microscopia eletrônica de varredura (MEV), microscopia de força atômica (AFM) e microscopia óptica (MO). Análise óptica foi feita através de medidas de fotoluminescência (PL) e de tempo de decaimento por fotoluminescência. Espectroscopia Raman e FTIR foram utilizadas para análises estruturais. No modo transistor a caracterização foi feita através de curvas de saída e transferência. Através das caracterizações elétricas determinou-se os parâmetros do semicondutor, tais ... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) === Abstract: One of the current challenges of organic electronics is the development of semiconductors with high mobility to form films with good morphology when deposited/printed by solution, resulting in good uniformity and reproducibility of the devices. The poly (3-hexylthiophene) (P3HT) and 6,13-(triisopropilsililetinil)pentacene (TP) are among the most widely used organic semiconductors. The TP films are constituted by crystalline lamellar structures, and thus has greater mobility than the P3HT, however, it is difficult handling it to obtain films with good morphology and reproducible results. Targeting a semiconductor material with significantly better mobility than that of P3HT and better morphology than that of TP, we studied composites of these materials (P3HT: TP) for using in organic field effect transistors (OFETs). The transistor was prepared depositing the solution of the semiconductor composite, by spin coating, on the aluminium oxide, obtained by anodization and treated with HMDS, followed by the thermal evaporation of gold on the top, to form the drain and source electrodes. For analysis of the morphology of the composites semiconductors (P3HT: TP) was used scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscopy (AFM) and optical microscopy (OM). Optical analysis was performed using photoluminescence (PL) measurements and decay time by photoluminescence. FTIR and Raman spectroscopy were used to structural analysis. In mode transistor, characterization was performed u... (Complete abstract click electronic access below) === Mestre