Estudo dos processos de transporte dependentes de Spin em materiais orgânicos /
Orientador: Carlos Frederico de Oliveira Graeff === Banca: Claudio José Magon === Banca: Augusto Batagin Neto === Banca: Luis Vicente de Andrade Scalvi === Banca: José Humberto Dias da Silva === O Programa de Pós Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais, PosMat, tem caráter institucional e int...
Main Author: | |
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Other Authors: | |
Format: | Others |
Language: | Portuguese Portuguese Texto em português; resumo em inglês |
Published: |
Bauru,
2016
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Subjects: | |
Online Access: | http://hdl.handle.net/11449/143066 |
Summary: | Orientador: Carlos Frederico de Oliveira Graeff === Banca: Claudio José Magon === Banca: Augusto Batagin Neto === Banca: Luis Vicente de Andrade Scalvi === Banca: José Humberto Dias da Silva === O Programa de Pós Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais, PosMat, tem caráter institucional e integra as atividade de pesquisa em materiais de diversos campi === Resumo: Materiais e dispositivos baseados em compostos orgânicos desempenham um importante papel em diversas áreas da aplicação tecnológica devido às suas interessantes propriedades eletro-magneto-ópticas, adicionadas às suas características mecânicas únicas, facilidade de processamento, versatilidade de síntese e baixo custo relativo. Apesar do proeminente campo de aplicação destes materiais, muitos aspectos associados às sua ciência básica são ainda pouco compreendidos. Nesse cenário destaca-se o fenômeno de Magnetoresistência Orgânica (OMAR, da sigla em inglês). Tal fenômeno encontra-se associado a variações significativas da condutividade elétrica de dispositivos orgânicos induzidas por pequenos campos magnéticos externos em temperatura ambiente e tem sido observado em diversificados materiais poliméricos e moleculares. No presente trabalho avaliou-se o fenômeno de OMAR apresentando por um Diodo Emissor de Luz baseado na molécula de Alq3-. Medidas de Espectroscopia de Impedância Elétrica na presença de um Campo Magnético estático externo (EIE-CM) foram realizadas sobre o referido dispositivo para diferentes temperaturas. Métodos diferenciados de aquisição e manipulação de dados foram empregados a fim de remover a dependência temporal dos sinais tipicamente observados. Os seguintes Efeitos do Campo Magnético (MFE, da sigla em inglês) foram observados sobre a resposta elétrica do dispositivo: (i) redução de cerca de 1% na resistência, efeito praticamente constante para todo o espectro de frequência e; (ii) variações significativas na capacitância, com intensificação do efeito de Capacitância Negativa em baixas frequências. Como suporte para a interpretação dos resultados experimentais foram realizadas simulações empregando-se duas abordagens: Circuitos Equivalentes e Análise de perturbações de pequenos sinais (em inglês, Small Signal Analisys) via soluções numéricas das equações... === Abstract: Materials and devices based on organic compounds play and important role in various technological applications, mainly due to their interesting electrical-magneto-optical properties combined with their unique mechanical properties, easy processing, versatility of synthesis and relatively low cost. Despite the prominent application field of these materials many aspects associated with their basic science are still not well understood. in this context the Organic Magnetorresstance phenomenon (OMAR) deserves to be highlighted. This phenomenon is associated with significant changes in the electrical conductivity of organic devices induced by the presence of small external magnetic fields at room temperature, being observed in various polymeric and molecular materials. In this study we have investigated the OMAR phenomenon in Alq3-based OLEDs. Electrical impedance spectroscopy tehcnique in the presence of an external static magnetic field (EIS-MF) was employed in the experiments; distinct tempertures were considered. Differentiated methods of acquisition and data manipulation were employed to remove te typically observed signal time dependence. The following magnetic field effects (MFE) were observed on the electrical response of the device: (i) a constant reduction of around 1% in the resistance over the entire frequency spectrum and; (ii) significant changes in the capacitance followed by an intensification of the negative capacitance effect at low frequencies. Simulations employing two different approaches were carried out for the interpretation of the experimental results: (i) Equivalent Circuits and (ii) Small Signal Analysis via numerical solutions of the Boltzmann transport equations by Drift-Diffusion approach. The results suggest that the observed MFE can be associated with an increase in the effective mobility of the charge carriers and a reduction in the biomolecular rate in the device. The results were interpreted in terms of... === Doutor |
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