| Summary: | El desarrollo de la electrónica flexible ha sido posible gracias al uso de substratos flexibles. Los circuitos electrónicos construidos sobre estos substratos tienen un gran potencial para un gran número de aplicaciones incluyendo pantallas, celdas solares, dispositivos móviles, textiles, inclusive implantes compatibles con biosistemas.
Sin embargo, los substratos flexibles no son completamente compatibles con los procesos existentes de microfabricación debido a las altas temperaturas que se utilizan. Para solucionar el problema es necesario el uso de semiconductores policristalinos o amorfos, depositados a bajas temperaturas, el desarrollo de nuevas técnicas de microfabricación, nuevos materiales, con el fin de lograr un buen funcionamiento del dispositivo.
Los transistores de película delgada comúnmente se fabrican con silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) a temperaturas menores o iguales a 300ºC. Sin embargo la movilidad de los portadores de corriente de este material es de aproximadamente 1 cm2/Vs. Materiales amorfos, como el silicio-germanio amorfo hidrogenado (a-SiGe:H), son una alternativa para resolver el problema de la movilidad y de la temperatura. Trabajos realizados en el INAOE han demostrado que la movilidad de los portadores de carga se incrementa sin aumentar la temperatura de depósito. Se busca fabricar TFT´s de a-SiGe:H sobre teflón (Polytetraflouroethylene) y PEN (Polyethylene naphthalate) a bajas temperaturas y obtener sus propiedades eléctricas.
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