GaN HEMT Modeling and Passive Mixer Design
碩士 === 國立清華大學 === 電子工程研究所 === 100 === 本論文可分成兩部分討論，第一部分是氮化鎵高電子移導率電晶體模型的建立，包含小訊號及大訊號模型，第二部分提出了兩種不同的被動混頻器架構，包含基頻混頻器與次諧波混頻器。 在第一部分首先我們利用cold-FET量測來萃取出外部寄生的電阻和電感值，再利用Y參數將外部寄生的參數扣除掉之後，可以計算出內部等校電路的元件值。在本論文中採用Angelov的模型做為我們的電流模型，此模型中的各個參數可利用擬合的方式獲取，另外將內部元件值隨電壓變化的關係也用方程式擬合，最後在ADS中建立出完整的電晶體等效模型，並比較量測與模擬的直...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | en_US |
| Published: |
2011
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/81543692717494340013 |