Analysis of the impact of parameters on silicon thin films synthesized by HDPCVD
碩士 === 國立清華大學 === 電子工程研究所 === 99 === 在之前的工作中，我們已經發展出了一個可以達到效率17.04% 的新結構。這個結構是由非晶矽和晶粒大於一微米的多晶矽所組成，且只有一個PN接面。為了完成這個新結構的太陽電池，我將會先分析ICPCVD的參數以製作出多晶矽薄膜。 在這篇論文裡，我將會用到N&K、四點探針、掃描式電子顯微鏡、拉曼光譜儀、X光繞射儀和霍爾量測，去分析薄膜的結晶度和濃度。在這個實驗裡，我將會在不同的功率密度和壓力下去製作出矽薄膜。 實驗結果顯示當功率達到0.694 W/cm2時，我們可以得到晶粒大小約50奈米，結晶度74.35%。而且，我們也...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | zh-TW |
| Published: |
2011
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/98518588589944202247 |
| Summary: | 碩士 === 國立清華大學 === 電子工程研究所 === 99 === 在之前的工作中，我們已經發展出了一個可以達到效率17.04% 的新結構。這個結構是由非晶矽和晶粒大於一微米的多晶矽所組成，且只有一個PN接面。為了完成這個新結構的太陽電池，我將會先分析ICPCVD的參數以製作出多晶矽薄膜。
在這篇論文裡，我將會用到N&K、四點探針、掃描式電子顯微鏡、拉曼光譜儀、X光繞射儀和霍爾量測，去分析薄膜的結晶度和濃度。在這個實驗裡，我將會在不同的功率密度和壓力下去製作出矽薄膜。
實驗結果顯示當功率達到0.694 W/cm2時，我們可以得到晶粒大小約50奈米，結晶度74.35%。而且，我們也製作出N摻雜濃度為3.27E19 cm-3和P摻雜濃度為8.317E16 cm-3。我們也對微晶矽薄膜提出其形成的機制。
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