The Design and Fabrication of Lateral High Voltage 4H-SiC two-zone RESUFR MOSFETs and PN Diode
碩士 === 國立清華大學 === 電子工程研究所 === 99 === 本論文為製作橫向高電壓4H碳化矽雙漂移區金氧半場效電晶體。比較起傳統RESURF結構，雙漂移區結構在設計崩潰電壓與導通電阻最佳化的同時，改善了閘極氧化層提早崩潰的情形。此外，在基板上磊晶了一層輕摻雜p-layer，用來提高通道遷移率，達到降低導通電阻值的目的。元件製程上，利用在摻雜活化時旋塗石墨層降低表面粗糙度以及一氧化氮回火的方式減少碳化矽與二氧化矽之間的表面缺陷，使其電性上有更好的表現。 量測結果得知，在通道長度3μm、漂移區長度20μm的元件中，其導通電阻最低達到31mΩcm2；崩潰特性方面，在通道長度5μ...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | zh-TW |
| Published: |
2010
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/18360771266396544608 |