One-dimensional Silicon and Germanium Materials: Fabrications and Their Electron Field Emission Properties
博士 === 國立清華大學 === 材料科學工程學系 === 99 === 由於一維材料擁有極高的深寬比，因此被視為是場發射體中理想的材料來源。在過去的研究中指出，藉由「無電極金屬沉積法」所製造出來的一維矽陣列，由於該陣列的排列分佈過於擁擠，進而影響到其場發射特性的表現，因此在本論文中，我們使用了含有氫氟酸及過氧化氫的酒精溶液當作蝕刻溶液來改變前述過於密集排列的一維矽陣列結構。經由再一次的蝕刻後,矽陣列的形貌由初始相交連結的牆狀轉變成各自獨立存在的稻草堆形貌。擁有稻草堆外貌的一維矽陣列其場發射量測出來的起始電壓約為 4.7 V/μm，且在外加電場 12.8 V/μm 時，可以得到場加強因子14...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | en_US |
| Published: |
2011
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/00745718073183100622 |