The studies of high saturation output power S-band erbium-doped fiber amplifiers
碩士 === 國立清華大學 === 電子工程研究所 === 97 === 在此論文中，我們說明了採用高截止效率的抑制C頻帶放大自發幅射濾波器的高飽和功率S頻帶摻鉺光纖放大器，而濾波器置放於C頻帶矽基摻鉺光纖之中。首先，我們製作了寬頻帶(1250~1650 nm)的熔拉低通濾波器，其中透過適當的選用色散材料和熔拉光纖結構，就能夠達到高截止效率與高溫度調整效率(50 nm/�aC)。最終在採用順向激發架構下，200mW的980nm激發功率可得到6dB的增益，並改善了1490-nm S頻帶摻鉺光纖放大器的飽和輸入功率和飽和輸出功率，分別可達到8.8 dBm和12.2 dBm，這些結果已經比過去一些高...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | en_US |
| Published: |
2009
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/81135858472458647015 |