Investigation of Interfacial Strain Field in SiGe/Si Systems Using Bragg-Surface X-ray Diffraction
碩士 === 國立清華大學 === 物理學系 === 97 === 現今的多層材料中，當兩種不同晶體的晶格常數相當接近時，其介面將會因為兩種晶體的連結造成此處的晶格常數有所變化，而晶格常數的變化，在許多材料應用中，常會發生問題，例如在太陽能電池的光轉率不好等等，因此若能有效掌握此變化量，將可對此問題提供重要資訊。在本碩士論文中，主要探討應變場(strain field)在SiGe/Si的介面對於晶格的變化。在實驗部分，我們利用電荷耦合元件(Charge Coupled Device)去拍攝各種不同角度的繞射圖形，在數據分析部分，我假設在每組ϕ-scan中強度最強的地方為參考原點，利用此點及繞射...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | zh-TW |
| Published: |
2009
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/34335758738000820595 |