Investigation of Interfacial Strain Field in SiGe/Si Systems Using Bragg-Surface X-ray Diffraction
碩士 === 國立清華大學 === 物理學系 === 97 === 現今的多層材料中,當兩種不同晶體的晶格常數相當接近時,其介面將會因為兩種晶體的連結造成此處的晶格常數有所變化,而晶格常數的變化,在許多材料應用中,常會發生問題,例如在太陽能電池的光轉率不好等等,因此若能有效掌握此變化量,將可對此問題提供重要資訊。在本碩士論文中,主要探討應變場(strain field)在SiGe/Si的介面對於晶格的變化。在實驗部分,我們利用電荷耦合元件(Charge Coupled Device)去拍攝各種不同角度的繞射圖形,在數據分析部分,我假設在每組ϕ-scan中強度最強的地方為參考原點,利用此點及繞射...
Main Authors: | , |
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Other Authors: | |
Format: | Others |
Language: | zh-TW |
Published: |
2009
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Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/34335758738000820595 |
Summary: | 碩士 === 國立清華大學 === 物理學系 === 97 === 現今的多層材料中,當兩種不同晶體的晶格常數相當接近時,其介面將會因為兩種晶體的連結造成此處的晶格常數有所變化,而晶格常數的變化,在許多材料應用中,常會發生問題,例如在太陽能電池的光轉率不好等等,因此若能有效掌握此變化量,將可對此問題提供重要資訊。在本碩士論文中,主要探討應變場(strain field)在SiGe/Si的介面對於晶格的變化。在實驗部分,我們利用電荷耦合元件(Charge Coupled Device)去拍攝各種不同角度的繞射圖形,在數據分析部分,我假設在每組ϕ-scan中強度最強的地方為參考原點,利用此點及繞射幾何去計算其晶格常數的變化,並將計算出的晶格常數,分別對θ、ϕ、X光穿透深度作圖。由這些圖形進一步分析應變場的分佈情況,最後得到三個重要的結論,其一,長晶的方向將影響應變場的大小,其二,晶體的特性將影響應變場的分布情形,其三,接近介面的地方,由於應變場較大,因此,晶格常數成震盪變化。
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