A study of magnetic domain configuration and electric transport of ferromagnetic thin films and wires
博士 === 國立清華大學 === 光電工程研究所 === 97 === 本論文探討鐵磁性薄膜與線之磁區結構以及電子在此結構中之傳輸特性。本實驗利用磁力顯微儀來量測鎳、鈷以及鎳鐵薄膜之磁區結構。利用所探測之磁力影像以及理論計算來分別估計磁區及磁壁之寬度並予以比較。如所預期,磁區之寬度與薄膜厚度之平方根成線性關係。此外,亦利用外加磁場以改變磁區結構並從而探討外加磁場與磁區結構周期之關係。使磁區寬度達飽和之外加磁場會隨著鐵磁性薄膜厚度之增加而增加到一臨界值。 另外,利用四點量測及T型微帶線方法分別探討直流與射頻電流下與溫度變化之鐵磁性薄膜與線的表面磁阻與磁壁散射之關係。我們觀察到在直流電下當電流方...
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2008
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ndltd-TW-097NTHU51240102015-10-13T13:11:50Z http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/59469181990999261716 A study of magnetic domain configuration and electric transport of ferromagnetic thin films and wires 鐵磁性薄膜與線之磁區結構與電子傳輸特性之探討 Yeh,Yi-Chen 葉宜貞 博士 國立清華大學 光電工程研究所 97 本論文探討鐵磁性薄膜與線之磁區結構以及電子在此結構中之傳輸特性。本實驗利用磁力顯微儀來量測鎳、鈷以及鎳鐵薄膜之磁區結構。利用所探測之磁力影像以及理論計算來分別估計磁區及磁壁之寬度並予以比較。如所預期,磁區之寬度與薄膜厚度之平方根成線性關係。此外,亦利用外加磁場以改變磁區結構並從而探討外加磁場與磁區結構周期之關係。使磁區寬度達飽和之外加磁場會隨著鐵磁性薄膜厚度之增加而增加到一臨界值。 另外,利用四點量測及T型微帶線方法分別探討直流與射頻電流下與溫度變化之鐵磁性薄膜與線的表面磁阻與磁壁散射之關係。我們觀察到在直流電下當電流方向平行磁壁(CIW)與電流方向垂直磁壁(CPW)其電阻值之變化。由於磁壁散射效應使得當電流方向垂直磁壁時之電阻大於當電流方向平行磁壁時之電阻。但是,利用T型微帶線探討在射頻之下磁壁散射效應時,發現此兩種通過磁區之傳輸方向之導電率沒有太大的差異。 最後,不同寬度之鐵磁性線在溫度變化下之電阻量測可經由理論模型進一步分析。根據曲線擬合結果,可得知鐵磁性線之表面擴散情形以及可大約估計在接近絕對零度時之電子平均自由路徑。 Lue,Juh-Tzeng 呂助增 2008 學位論文 ; thesis 155 en_US |
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博士 === 國立清華大學 === 光電工程研究所 === 97 === 本論文探討鐵磁性薄膜與線之磁區結構以及電子在此結構中之傳輸特性。本實驗利用磁力顯微儀來量測鎳、鈷以及鎳鐵薄膜之磁區結構。利用所探測之磁力影像以及理論計算來分別估計磁區及磁壁之寬度並予以比較。如所預期,磁區之寬度與薄膜厚度之平方根成線性關係。此外,亦利用外加磁場以改變磁區結構並從而探討外加磁場與磁區結構周期之關係。使磁區寬度達飽和之外加磁場會隨著鐵磁性薄膜厚度之增加而增加到一臨界值。
另外,利用四點量測及T型微帶線方法分別探討直流與射頻電流下與溫度變化之鐵磁性薄膜與線的表面磁阻與磁壁散射之關係。我們觀察到在直流電下當電流方向平行磁壁(CIW)與電流方向垂直磁壁(CPW)其電阻值之變化。由於磁壁散射效應使得當電流方向垂直磁壁時之電阻大於當電流方向平行磁壁時之電阻。但是,利用T型微帶線探討在射頻之下磁壁散射效應時,發現此兩種通過磁區之傳輸方向之導電率沒有太大的差異。
最後,不同寬度之鐵磁性線在溫度變化下之電阻量測可經由理論模型進一步分析。根據曲線擬合結果,可得知鐵磁性線之表面擴散情形以及可大約估計在接近絕對零度時之電子平均自由路徑。
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