金-氧化鎵核殼複合奈米結構的光電性質之研究
碩士 === 國立清華大學 === 材料科學工程學系 === 96 === 成功合成各式不同的金-氧化鎵複合奈米線，包含純氧化鎵奈米線、核殼金-氧化鎵奈米線、和退火豆莢金-氧化鎵奈米線後，藉由電子束微影技術的幫助，各式單根金-氧化鎵複合奈米線所構成的奈米元件能夠被製造。第一部份，將氧化鎵奈米線在600度C的氨氣氛下退火，一層很薄的氮化鎵會在氧化鎵的表面形成，其電阻率為5.557×103 Ω-cm，比薄膜氮化鎵的電阻率小四個數量級，推測是由於合成過程中所產生的氮缺陷或/和氧缺陷所致。根據電流電壓量測的結果，發現這層氮化鎵具有N型半導體的性質。第二部分，實驗發現由金-氧化鎵奈米線所構成的奈米元件具...
| Main Authors: | , |
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| Format: | Others |
| Language: | en_US |
| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/13472807161552393268 |