以熔鹽法合成PLZT單晶粉末之研究
碩士 === 國立成功大學 === 礦冶及材料科學研究所 === 78 === PLZT陶瓷於電光性方面的應用, 務求優良的透光性, 因此, 其燒結法可分為: (a) 熱 壓法(b) PbO 氣氛燒結法(c) 熱均壓法(d) 多段式燒結法等。以上各種方法都是以達 到組成均勻，消除氣孔為目的。其中以熱壓法應用最廣，但是試片的尺寸受到很大的 限制。由於燒結方法的限制陶瓷體無法大型化。 本研究嘗試以熔鹽法合成PLZT單晶粉...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | zh-TW |
| Published: |
1991
|
| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/50347908348582483558 |
| Summary: | 碩士 === 國立成功大學 === 礦冶及材料科學研究所 === 78 === PLZT陶瓷於電光性方面的應用, 務求優良的透光性, 因此, 其燒結法可分為: (a) 熱
壓法(b) PbO 氣氛燒結法(c) 熱均壓法(d) 多段式燒結法等。以上各種方法都是以達
到組成均勻，消除氣孔為目的。其中以熱壓法應用最廣，但是試片的尺寸受到很大的
限制。由於燒結方法的限制陶瓷體無法大型化。
本研究嘗試以熔鹽法合成PLZT單晶粉末, 而直接加以利用, 主要工作在探討合成過程
中, 溶質濃度、溫度及熱處理時間對晶體成長的影響影，進而合成符合化學計量、單
一結晶相及粉徑一(2-4μm)的粉末。
研究中發現，以熔鹽法合成PLZT單晶粉末時, 所採用的溫度最為重要。於900℃ 反應
難在短時間內獲得PLZT, 同時鼢亦難如預期的進入結構中。1100℃氧化鉛的揮發很嚴
重, 造成化學組成的改變, 而且生成的PLZT似也分解。1000℃則為最適當的溫度, 可
在6 小時內生成PLZT, 雜相只有少量的氧化鋯。濃度對粉末的結晶相、化學組成及粉
徑有決定性的影響。濃度大於4:1 得到PLZT粉末為等方晶相, 1:8 則為正方晶相。高
濃度(>1:1)所得PLZT之化學組成與原預定(9/65/35) 接近。以粒度分佈而言，濃度1:
1時可得單一粉徑PLZT。
|
|---|