薄層分析專用之三氧化二鋁的研究
碩士 === 中正理工學院 === 應用化學研究所 === 76 === AlO 應用在TLC 上相當廣泛,而AlO 為多晶型(Polymorphous)的化合物, 所以常因合成(燒)溫度不同,及時間長短不一而有不同的晶體結構的AlO 必 然具有不同的物理特性,尤其是氧化鋁表面上具有高度的極性,不同的晶體結構非列 ,影響材料本身的吸附性甚大。本論文的目的在尋找一個合成TLC 專用AlO 的最 適當條...
Main Authors: | , |
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Other Authors: | |
Format: | Others |
Language: | zh-TW |
Published: |
1988
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Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/52150076098967802821 |
Summary: | 碩士 === 中正理工學院 === 應用化學研究所 === 76 === AlO 應用在TLC 上相當廣泛,而AlO 為多晶型(Polymorphous)的化合物,
所以常因合成(燒)溫度不同,及時間長短不一而有不同的晶體結構的AlO 必
然具有不同的物理特性,尤其是氧化鋁表面上具有高度的極性,不同的晶體結構非列
,影響材料本身的吸附性甚大。本論文的目的在尋找一個合成TLC 專用AlO 的最
適當條件,並進一步了解AlO 晶體結構與解析力(Rf)的關係。而研究方法是以
Hydrargillite (Al(OH))及銨明礬(Al(SO)(NH)SO.24HO)
的加熱分解來製造各種晶態的氧化鋁。
利用DTA 及TGA 來說明其加熱反應變化,用X -光粉未繞射來鑑定氧化鋁的晶體結構
;對於Hydrargillite 的熱轉換利用IR光譜來探討其反應過程;而銨明礬則利用元素
分析儀來分析氧化鋁中硫的含量。最後並研究各種不同晶態氧化鋁在TLC 中的分離效
果,其中以Hydrargillite 在500-800 ℃燒生成γ-AlO及銨明礬在 850-900
℃燒生成γ-AlO,最適合於TLC 的材料;控制AlO顆粒在10μm 以上,
黏接劑(Binder)含量在百分之9左右為TLC 最佳條件。以χ-AlO分離酚、
Sudan 紅G 及乳黃混合染料,其Rf值為0.39、0.61、0.81,以γ-AlO 分離其
Rf值為0.34、0.56﹑0.76,至於商用鋁薄片Merck 5551及Merck 5731,其Rf值分
別為0.47、0.58、0.73及0.23、0.39、0.55。
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