利用雙基極電晶體設計的新型靜態隨意出入記憶細胞

碩士 === 國立交通大學 === 電子工程研究所 === 71 ===

Bibliographic Details
Main Authors: Wu, Tian-Xiang, 吳添祥
Other Authors: Wu, Zhong-Yu
Format: Others
Language:zh-TW
Online Access:http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/03185648629314652291
id ndltd-TW-071NCTU4428014
record_format oai_dc
spelling ndltd-TW-071NCTU44280142015-10-13T11:28:58Z http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/03185648629314652291 利用雙基極電晶體設計的新型靜態隨意出入記憶細胞 Wu, Tian-Xiang 吳添祥 碩士 國立交通大學 電子工程研究所 71 Wu, Zhong-Yu 吳重雨 學位論文 ; thesis 0 zh-TW
collection NDLTD
language zh-TW
format Others
sources NDLTD
description 碩士 === 國立交通大學 === 電子工程研究所 === 71 ===
author2 Wu, Zhong-Yu
author_facet Wu, Zhong-Yu
Wu, Tian-Xiang
吳添祥
author Wu, Tian-Xiang
吳添祥
spellingShingle Wu, Tian-Xiang
吳添祥
利用雙基極電晶體設計的新型靜態隨意出入記憶細胞
author_sort Wu, Tian-Xiang
title 利用雙基極電晶體設計的新型靜態隨意出入記憶細胞
title_short 利用雙基極電晶體設計的新型靜態隨意出入記憶細胞
title_full 利用雙基極電晶體設計的新型靜態隨意出入記憶細胞
title_fullStr 利用雙基極電晶體設計的新型靜態隨意出入記憶細胞
title_full_unstemmed 利用雙基極電晶體設計的新型靜態隨意出入記憶細胞
title_sort 利用雙基極電晶體設計的新型靜態隨意出入記憶細胞
url http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/03185648629314652291
work_keys_str_mv AT wutianxiang lìyòngshuāngjījídiànjīngtǐshèjìdexīnxíngjìngtàisuíyìchūrùjìyìxìbāo
AT wútiānxiáng lìyòngshuāngjījídiànjīngtǐshèjìdexīnxíngjìngtàisuíyìchūrùjìyìxìbāo
_version_ 1716841703259766784