Theoretical studies of defects in silicon carbide
Cálculos de estructura electrónica han sido utilizados para el estudio de la estructura, de la difusividad y de la actividad eléctrica de defectos puntuales en carburo de silicio. En particular, se han considerado impurezas de tipo n y de tipo p, boro, nitrógeno y fósforo, juntas con defectos intrí...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Format: | Doctoral Thesis |
| Language: | English |
| Published: |
Universitat Autònoma de Barcelona
2003
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/10803/3355 http://nbn-resolving.de/urn:isbn:8468857025 |