GaAsMESFETの集積化およびGaAs集積回路用活性層の研究

名古屋大学博士学位論文学位の種類:工学博士 (論文) 学位授与年月日:昭和59年11月2日

Bibliographic Details
Main Authors:	水谷, 孝, Mizutani, Takashi
Language:	ja
Published:	1984
Online Access:	http://hdl.handle.net/2237/6570

id	ndltd-NAGOYA-oai-ir.nul.nagoya-u.ac.jp-2237-6570
record_format	oai_dc
spelling	ndltd-NAGOYA-oai-ir.nul.nagoya-u.ac.jp-2237-65702013-01-07T23:39:56ZGaAsMESFETの集積化およびGaAs集積回路用活性層の研究水谷, 孝Mizutani, Takashi名古屋大学博士学位論文学位の種類:工学博士 (論文) 学位授与年月日:昭和59年11月2日1984-11-02Thesishttp://hdl.handle.net/2237/6570ja
collection	NDLTD
language	ja
sources	NDLTD
description	名古屋大学博士学位論文学位の種類:工学博士 (論文) 学位授与年月日:昭和59年11月2日
author	水谷, 孝 Mizutani, Takashi
spellingShingle	水谷, 孝 Mizutani, Takashi GaAsMESFETの集積化およびGaAs集積回路用活性層の研究
author_facet	水谷, 孝 Mizutani, Takashi
author_sort	水谷, 孝
title	GaAsMESFETの集積化およびGaAs集積回路用活性層の研究
title_short	GaAsMESFETの集積化およびGaAs集積回路用活性層の研究
title_full	GaAsMESFETの集積化およびGaAs集積回路用活性層の研究
title_fullStr	GaAsMESFETの集積化およびGaAs集積回路用活性層の研究
title_full_unstemmed	GaAsMESFETの集積化およびGaAs集積回路用活性層の研究
title_sort	gaasmesfetの集積化およびgaas集積回路用活性層の研究
publishDate	1984
url	http://hdl.handle.net/2237/6570
work_keys_str_mv	AT shuǐgǔxiào gaasmesfetnojíjīhuàoyobigaasjíjīhuílùyònghuóxìngcéngnoyánjiū AT mizutanitakashi gaasmesfetnojíjīhuàoyobigaasjíjīhuílùyònghuóxìngcéngnoyánjiū
_version_	1716491012953604096

GaAsMESFETの集積化およびGaAs集積回路用活性層の研究

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