| Summary: | Darbo tikslas yra ištirti neatkaitintų ir atkaitintų prie aukštų temperatūrų vakuume LaNiO3 sluoksnių Rentgeno fotoelektronų spektrus. Darbe aprašyti Rentgeno fotoelektronų spektroskopijos (RFS) (XPS- X-ray photoelectron spectroscopy) metodo, naudojamo įvairių medžiagų paviršių cheminei sudėčiai nustatyti, pagrindai. Pirmame skyriuje aprašyti: La- Ni oksidiniai junginiai ir jų tyrimų metodika, plonų nanostruktūrizuotų medžiagų sluoksnių nusodinimo iš dujų fazės (plazmos) metodas- magnetroninis dulkinimas (magnetron sputtering), aparatūra, XPSPeak programos pritaikymas Rentgeno fotoelektronų spektrų tyrimui bei jos naudojimo galimybės. Antrasis skyrius yra skirtas Rentgeno fotoelektroninių spektrų matavimų, naudojant spektrometrą XSAM 800 (Kratos Analytical, Didžioji Britanija) ypatumams ir bandinių gamybos metodikai aptarti. Trečiajame skyriuje pateikiami eksperimentiniai rezultatai gauti, matuojant LaNiO3-x Rentgeno fotoelektronų spektrus. Darbo pabaigoje yra pateikiamos išvados, kurios galėtų būti naudingos, tobulinant LaNiO3-x bandinių gamybos technologiją. === The aim of presented work was to investigate the X-ray photoelectron spectra (XPS) of LaNiO3-x thin films. The films were produced by DC magnetron sputtering. It is known that the temperature dependence of resistivity of as grown films has the metallic character. After the temperature annealing in the high vacuum condition this dependence changes to the semiconductor like character. XPS spectra of the oxygen region of as grown samples indicate that oxygen ions are in three states – O2-, hydroxyl groups (OH)-, and water. After the temperature annealing in the high vacuum condition oxygen ions are only in the two states - O2- and hydroxyl groups (OH)-. Thus the changes of the resistivity temperature dependence are caused by the changes of the oxygen ions system after the temperature annealing in the high vacuum. After temperatures processing in vacuum the samples some time have been sustained in atmospheric conditions, the temperature dependence of resistance again came back to an initial metal condition. This fact means that for the synthesis of qualitative thin layers it is necessary to change technological conditions of production.
|
|---|
