Radiacijos generuoti taškiniai defektai ir jų reakcijos

• Main Author: Stuknys, Vaidas
• Other Authors: Norgėla, Žilvinas
• Format: Dissertation
• Language: Lithuanian
• Published: Lithuanian Academic Libraries Network (LABT) 2009
• Subjects: Physics; Rentgeno spinduliuotė; FT-IR spektroskopija; Taškiniai defektai; Rentgen radiance; FT-IR spectroscopy; Point defects
• Online Access: http://vddb.library.lt/fedora/get/LT-eLABa-0001:E.02~2009~D_20090828_134234-78380/DS.005.0.01.ETD

Šiame darbe nagrinėjami radiaciniai defektai bei jų tarpusavio reakcijos silicyje. Atlikti eksperimentai, kurių metu pasitelkus minkštąją Rentgeno spinduliuotę buvo generuojami defektai. Vėliau bandiniai buvo tiriami FT-IR spektroskopijos metodais. Darbo apimtis 52 puslapiai. Darbas susideda iš 5 dalių. Pirmoje dalyje apžvelgiami Rentgeno spinduliuotės šaltiniai ir spinduliuotės savybės. Antroje - dalyje radiaciniai defektai silicyje. Trečioje - defektų tyrimo metodai. Ketvirtoje - dalyje defektų reakcijos. Penktoje - eksperimento metodika ir eksperimento rezultatai. === In this work, we are researching radiation defects and their reactions in silicon. During experiments defects were generated using soft Rentgen radiance. Later samples were researched using FT-IR methods of spectroscopy. Work amount is 52 pages. Work consists from 5 parts. First part - overview of sources and features of Rentgen radiance. Second part – radiation defects in silicon. Third part – methods of defect researching. Fourth part – reactions of defects. Fifth part – Methods and results of experiment.