Srovės pernešimo mechanizmai plonose oksido plėvelėse

• Main Author: Šlaičiūnaitė, Ilona
• Other Authors: Bondarenko, Vladimiras
• Format: Dissertation
• Language: Lithuanian
• Published: Lithuanian Academic Libraries Network (LABT) 2007
• Subjects: Physics; Srovės pernešimo mechanizmai; Plonos oksido plėvelės; Aktyvacijos energija; Conductiom mechanisms; Thin oxygen films; Activation energy
• Online Access: http://vddb.library.lt/fedora/get/LT-eLABa-0001:E.02~2007~D_20070816_170904-16078/DS.005.0.01.ETD

Šiame darbe buvo tirtas srovės pernešimo mechanizmas plonose oksido plėvelėse,t.y. SiO-Al, Al-SiO2-Al, Al-Al2O3-Al ir p/Si-Ta2O5-Al. Tuo tiklu buvo eksperimentiškai išmatuotos srovės stiprio temperatūrinės priklausomybės, esant įvairių įtampų vertėms, taip pat voltamperinės charakteristikos plačiame temperatūrų intervale ir nustatytas barjero aukščio (aktyvacijos energijos) kitimas nuo įtampos ir temperatūros. Eksperimentiniai rezultatai lyginami su teorinėmis elektronų tunelinių šuolių tikimybės priklausomybėmis nuo elektrinio lauko stiprio ir temperatūros. === The conduction mechanisms in SiO-Al, Al-SiO2-Al, Al-Al2O3-Al and p/Si-Ta2O5-Al structures has been investigated. In this way there were observed the current dependences of voltages by various temperature values, also the current dependence of temperatures by various valtage values and an activation energy dependence from voltage and temperature. The experimental data have been compared with the teorical tunneling probabilities depending on the strength of the electric field and temperature. The obtained experimental lnI(T) at various aplied voltage is in a good agreement with the theoretical ln W(T) dependences. After the analysis of the measurment data it was shown that the tunneling mechanism is prevailing in the region of strong fields and low temperature. Also it has been observed that the energy activation decreased when of the values of applied voltage is increased and increased when of the values of applied temperature is increased. The observed dependence of barrier height on the voltage established for the I(T, U) characteristics are also explained by the phonon stimulated tunneling mechanism.