Metodologia determinística para simulação elétrica do impacto de BTI em circuitos MOS
Aborda-se, nesse trabalho, o fenômeno de envelhecimento de transistores MOS por bias temperature instability (BTI), relevante fator de degradação da confiabilidade e de redução do tempo de vida de circuitos integrados CMOS. Uma nova modelagem matemática determinística para BTI é introduzida, proporc...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
2017
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/10183/165167 |
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