Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabel...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais
2007
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| Online Access: | http://urlib.net/sid.inpe.br/mtc-m17@80/2007/03.23.19.00 |