Caracterização elétrica de junções p-n de PbTe para aplicação em detectores de infravermelho.
Este trabalho visa à caracterização elétrica de junções p-n de PbTe para aplicação em detectores fotovoltaicos na faixa do infravermelho médio. Para isto, uma série de junções p-n foi crescida com sucesso por epitaxia de feixe molecular sobre substratos de fluoreto de bário. Nesta série, a concentra...
Main Author: | André Santiago Barros |
---|---|
Other Authors: | Eduardo Abramof |
Language: | Portuguese |
Published: |
Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais
2004
|
Online Access: | http://urlib.net/sid.inpe.br/jeferson/2004/10.05.14.56 |
Similar Items
-
Phonon conduction in PbSe, PbTe, and PbTe1−xSex from first-principles calculations
by: Tian, Zhiting, et al.
Published: (2012) -
On-chip chalcogenide glass waveguide-integrated mid-infrared PbTe detectors
by: Li, J., et al.
Published: (2017) -
Scattering Mechanisms in pressed PbTe
by: O. M. Matkivsky, et al.
Published: (2020-03-01) -
Resonant cavity enhancement of polycrystalline PbTe films for IR detectors on Si-ROICs
by: Wang, Jianfei, et al.
Published: (2013) -
Thermoelectric Properties of (Graphene/PbTe) Composites
by: Chi-Wei Tsai, et al.
Published: (2019)