| Summary: | O objetivo deste trabalho é o estudo de espelhos de Bragg do sistema AlGaAsSb/AlAsSb não dopado e dopados com Te, preparados pela técnica de BEM sobre substrato de InP, empregados em VCSELs na região de 1,55 µm. Empregando a técnica Hall, absorção, SIMS e principalmente fotoluminescência, foi realizada uma análise comparativa e sistemática entre amostras ?bulk? de GaAsSb e AlGaAsSb não dopadas e dopadas com Te. Com estes resultados desenvolvemos um estudo sistemático das propriedades elétricas e ópticas de espelhos com 6.1/2 e 20.1/2 períodos não dopado, com dopagem homogênea, com dopagem do tipo ??-doping? e dopagem com liga digital em gradiente nas interfaces, empregando as técnicas de SIMS, Hall, IxV, PL, e refletividade. Fizemos também a simulação de espectros de refletividade em espelho de Bragg aplicando um formalismo matricial. Nossa principal conclusão é a altíssima viabilidade do emprego da estrutura AlGaAsSb/AlAsSb na preparação de espelhos de Bragg para operação na região de 1,55 µm, com os melhores resultados apresentados pelo espelho com liga digital. === The objective of this work is to study undoped and Te doped Bragg mirrors AlGaAsSb/AlAsSb system lattice-matched on InP substrate, grown by MBE, used in 1.55 µm wavelength VCSELs. A comparative and systematic analysis of undoped and Te doped GaAsSb and AlGaAsSb bulk was carried out, using Hall, absortion, SIMS and photoluminescence techniques. With these results we develop a systematic study of the electrical and optical properties of undoped, homogeneous doped, doped with ?- doping and doped with digital alloy gradient in heterointerfaces Bragg mirrors of 6.1/2 and 20.1/2 pairs, using SIMS, Hall, IxV, PL and Reflectivity techniques. We made also simulation of Bragg mirror reflectivity was based on matrix formalism. Findings from the study showed the highest viability of the AlGaAsSb/AlAsBb system in Bragg mirrors for an operation in the 1.55 µm wavelength range, with best results for the digital alloy gradient.
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